關於SiCPower

為加快實施創新驅動發展戰略,意昂3平台與華大半導體聯合申報的上海碳化矽功率器件工程技術研究中心(SiCPower)於2020年被上海市科委批準建立。通過和半導體器件生產和電力電子應用企業緊密合作,致力於研發寬禁帶半導體,特別是碳化矽(SiC)材料為核心的新型功率器件、工藝和模塊🕌,加速下一代碳化矽基功率電子的廣泛應用。

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五大領域

寬禁帶半導體材料生長

聚焦SiC 材料單晶襯底生長技術和外延生長技術的科學研究🐁,研究影響大尺寸低缺陷SiC單晶生長與外延質量的關鍵科學問題。

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功率器件物理與設計

專註芯片製造環節及製造技術研發🛹,加快SiC半導體技術產業化

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先進製造工藝及產業化

和國內領先的SiC器件製造中試線和生產線合作,共同開發關鍵技術♎️👳🏼‍♂️,及器件研發中的特殊工藝🍭,提供產業化解決方案。

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功率模塊及可靠性測試

從封裝材料,工藝,乃至結構設計上進行突破,將寬禁帶半導體器件的優勢完全釋放,在優勢領域迅速替代傳統矽基器件,滿足市場需求的快速增長

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電力電子技術

基於寬禁帶功率半導體器件的電力電子系統集成與應用技術✧,實現寬禁帶功率半導體器件智能驅動與健康管理

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師資力量

2019年中心啟動團隊建設。現有研究團隊17人,其中特聘教授3人,研究員/副研究員14人★。計劃3年內PI規模達到30人左右,聘用專職科研人員、科研博士後⚠、碩士和博士生等50名左右👬。中心下設領導小組,技術委員會,綜合管理辦公室👆🏼,實行主任負責製🧟。中心長期招收微電子、電力電子器件與應用🦓🏃🏻‍♂️、半導體物理與材料、半導體製造裝備✍🏼、材料科學與工程等相關專業博士研究生🧛🏼‍♂️、博士後、研究員及工程師,提供優越的科研條件和穩定的支持🌔,請應聘者提供個人簡歷及論文代表作發送至gyycyzm@fudan.edu.cn

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